Биполярный транзистор 3DD171 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 3DD171
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
- подбор биполярного транзистора по параметрам
3DD171 Datasheet (PDF)
3dd171.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD171(172), 3DD175(176) NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97 4. U
3dd1724.pdf

3DD1724 NPN PCM TC=75 60 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.67 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=5mA 120 V V(BR)CEO ICE=7mA 80 V V(BR)EBO IEB=10mA 10 V ICBO VCB=80V 0.1 mA ICEO VCE=50V 0.5 mA IEBO VEB=4V 0.1 mA VBEsat 1.5
3dd176.pdf

3DD175/3DD176 NPN A B C D E F G PCM TC=75 300 W ICM 30 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 0.33 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 250 350 400 600 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 100 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=15mA 5.0 V
3dd175.pdf

3DD175/3DD176 NPN A B C D E F G PCM TC=75 300 W ICM 30 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 0.33 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 250 350 400 600 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 100 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=15mA 5.0 V
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: MPS6532 | 2SC2454 | JA100R | KTC3226 | RN2102MFV | AC142
History: MPS6532 | 2SC2454 | JA100R | KTC3226 | RN2102MFV | AC142



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392