3DD271 Todos los transistores

 

3DD271 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD271
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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3DD271 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  shaanxi
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3DD271

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD271(272), 3DD275(276) NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97 4. U

 9.1. Size:26K  shaanxi
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3DD271

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD275(3DD276)NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 6. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 7. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 8. Implementation of standards: GJB33 A-97 9. Use for Low-

Otros transistores... 3DD255 , 3DD257 , 3DD259 , 3DD260 , 3DD262 , 3DD264 , 3DD2655 , 3DD267 , A1013 , 3DD275 , 3DD3 , 3DD3015A1 , 3DD3015A3 , 3DD3020A3 , 3DD3020A4 , 3DD3020A6 , 3DD3040A1 .

History: MP279 | 2DI100Z-100 | 2SB1203S-TL-H

 

 
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