Справочник транзисторов. 3DD271

 

Биполярный транзистор 3DD271 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD271
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 3DD271

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD271 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:32K  shaanxi
 3dd271.pdf pdf_icon

3DD271

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD271(272), 3DD275(276) NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97 4. U

 9.1. Size:26K  shaanxi
 3dd275.pdf pdf_icon

3DD271

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD275(3DD276)NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 6. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 7. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 8. Implementation of standards: GJB33 A-97 9. Use for Low-

Другие транзисторы... 3DD255 , 3DD257 , 3DD259 , 3DD260 , 3DD262 , 3DD264 , 3DD2655 , 3DD267 , A1013 , 3DD275 , 3DD3 , 3DD3015A1 , 3DD3015A3 , 3DD3020A3 , 3DD3020A4 , 3DD3020A6 , 3DD3040A1 .

History: BF799

 

 
Back to Top

 


 
.