3DD275 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD275
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD275
3DD275 Datasheet (PDF)
3dd275.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD275(3DD276)NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 6. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 7. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 8. Implementation of standards: GJB33 A-97 9. Use for Low-
3dd271.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD271(272), 3DD275(276) NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97 4. U
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Liste
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