3DD275 - описание и поиск аналогов

 

3DD275. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD275

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD275

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD275 даташит

 ..1. Size:26K  shaanxi
 3dd275.pdf pdf_icon

3DD275

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD275(3DD276) NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 6. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 7. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 8. Implementation of standards GJB33 A-97 9. Use for Low-

 9.1. Size:32K  shaanxi
 3dd271.pdf pdf_icon

3DD275

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD271(272), 3DD275(276) NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards GJB33 A-97 4. U

Другие транзисторы: 3DD257, 3DD259, 3DD260, 3DD262, 3DD264, 3DD2655, 3DD267, 3DD271, 8550, 3DD3, 3DD3015A1, 3DD3015A3, 3DD3020A3, 3DD3020A4, 3DD3020A6, 3DD3040A1, 3DD3040A3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.