3DD31B Todos los transistores

 

3DD31B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD31B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

3DD31B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  lzg
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3DD31B

TIP31(3DD31) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power linear switching applications. : TIP32(3CD32) Features: Complement to TIP32(3CD32). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit Symbol RatingUnitTIP31 40 V 5.

 9.1. Size:151K  crhj
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3DD31B

NPN R 3DD3145 A6 3DD3145 A6 NPN VCEO 600 V IC 1.3 A Ptot TC=25 50 W

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 3dd3145 a8.pdf pdf_icon

3DD31B

NPN R 3DD3145 A8 3DD3145 A8 NPN VCEO 700 V IC 1.3 A Ptot W TC=25 60

 9.3. Size:153K  crhj
 3dd3150 a8.pdf pdf_icon

3DD31B

NPN R 3DD3150 A8 3DD3150 A8 NPN VCEO 800 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

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History: RN2302 | BFT33B | CMPTA44 | CCS2008 | UMB6N | KTC4347

 

 
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