3DD31B - описание и поиск аналогов

 

3DD31B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD31B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 3DD31B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD31B даташит

 ..1. Size:138K  lzg
 3dd31b.pdf pdf_icon

3DD31B

TIP31(3DD31) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Medium power linear switching applications. TIP32(3CD32) Features Complement to TIP32(3CD32). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit Symbol Rating Unit TIP31 40 V 5.

 9.1. Size:151K  crhj
 3dd3145 a6.pdf pdf_icon

3DD31B

 9.2. Size:153K  crhj
 3dd3145 a8.pdf pdf_icon

3DD31B

 9.3. Size:153K  crhj
 3dd3150 a8.pdf pdf_icon

3DD31B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD3040A7, 3DD3055, 3DD31, 3DD3145A6, 3DD3145A8, 3DD3150A, 3DD3150A8, 3DD31A, BC549, 3DD31C, 3DD31CT4, 3DD3320AN, 3DD3852, 3DD3853, 3DD4, 3DD4013A1D, 3DD4013A6D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.