3DD4G Todos los transistores

 

3DD4G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD4G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.75 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
   Paquete / Cubierta: TO276AB TO220 TO257
 

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3DD4G Datasheet (PDF)

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3DD4G

3DD4GI-T NPN G H I PCM Tc=75 10 W ICM 0.75 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 500 600 700 V V(BR)CEO ICE=1mA 400 500 600 V V(BR)EBO IEB=0.5mA 5.0 V ICBO VCE=100V 0.5 mA ICEO VCE=100V 0.5 mA

Otros transistores... 3DD4520A3 , 3DD4520A4 , 3DD4520A6 , 3DD4540A3 , 3DD4540A7 , 3DD4540A9 , 3DD4550A4 , 3DD4A , 2N5551 , 3DD5 , 3DD50 , 3DD505 , 3DD507 , 3DD51 , 3DD510 , 3DD511 , 3DD512 .

History: DRC3115T | BSS64LT1G | 2SD1145G | NB011FJ | ZTX968 | GSTU10040 | 2SA1122D

 

 
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