3DD4G Todos los transistores

 

3DD4G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD4G

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 7

Encapsulados: TO276AB TO220 TO257

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3DD4G datasheet

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3DD4G

3DD4G I-T NPN G H I PCM Tc=75 10 W ICM 0.75 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 500 600 700 V V(BR)CEO ICE=1mA 400 500 600 V V(BR)EBO IEB=0.5mA 5.0 V ICBO VCE=100V 0.5 mA ICEO VCE=100V 0.5 mA

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