3DD4G - описание и поиск аналогов

 

3DD4G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD4G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257

 Аналоги (замена) для 3DD4G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4G даташит

 ..1. Size:166K  china
 3dd4g.pdf pdf_icon

3DD4G

3DD4G I-T NPN G H I PCM Tc=75 10 W ICM 0.75 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 500 600 700 V V(BR)CEO ICE=1mA 400 500 600 V V(BR)EBO IEB=0.5mA 5.0 V ICBO VCE=100V 0.5 mA ICEO VCE=100V 0.5 mA

Другие транзисторы: 3DD4520A3, 3DD4520A4, 3DD4520A6, 3DD4540A3, 3DD4540A7, 3DD4540A9, 3DD4550A4, 3DD4A, BD139, 3DD5, 3DD50, 3DD505, 3DD507, 3DD51, 3DD510, 3DD511, 3DD512

 

 

 

 

↑ Back to Top
.