Справочник транзисторов. 3DD4G

 

Биполярный транзистор 3DD4G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD4G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257
 

 Аналог (замена) для 3DD4G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  china
 3dd4g.pdf pdf_icon

3DD4G

3DD4GI-T NPN G H I PCM Tc=75 10 W ICM 0.75 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 10 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 500 600 700 V V(BR)CEO ICE=1mA 400 500 600 V V(BR)EBO IEB=0.5mA 5.0 V ICBO VCE=100V 0.5 mA ICEO VCE=100V 0.5 mA

Другие транзисторы... 3DD4520A3 , 3DD4520A4 , 3DD4520A6 , 3DD4540A3 , 3DD4540A7 , 3DD4540A9 , 3DD4550A4 , 3DD4A , 2N5551 , 3DD5 , 3DD50 , 3DD505 , 3DD507 , 3DD51 , 3DD510 , 3DD511 , 3DD512 .

History: SE1730 | 2SD1825 | BCY22

 

 
Back to Top

 


 
.