3DD6E-T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD6E-T
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO3
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3DD6E-T datasheet
3dd6e.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD6E DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area High DC Current Gain-h =10(Min)@I = 2.5A FE C Low Saturation Voltage- V )= 1.5V(Max)@ I = 2.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for high power audio ,disk head positioners and other linear applications, which c
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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