Биполярный транзистор 3DD6E-T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD6E-T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
3DD6E-T Datasheet (PDF)
3dd6e-t.pdf
3DD6E-T NPN PCM 50 W ICM 5.0 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=3.0mA 350 V V(BR)CEO ICE=3.0mA 250 V V(BR)EBO IEB=1.0mA 5.0 V ICEO VCE=100V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=2.5A V IB=0.25A VCEsat 1.2 VCE=5.0V hFE 15~270 IC=2.5A
3dd6e.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD6EDESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaHigh DC Current Gain-h =10(Min)@I = 2.5AFE CLow Saturation Voltage-: V )= 1.5V(Max)@ I = 2.5ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for high power audio ,disk head positioners andother linear applications, which c
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050