3DD6E-T - описание и поиск аналогов

 

3DD6E-T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD6E-T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD6E-T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD6E-T даташит

 ..1. Size:110K  china
 3dd6e-t.pdf pdf_icon

3DD6E-T

 9.1. Size:221K  inchange semiconductor
 3dd6e.pdf pdf_icon

3DD6E-T

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD6E DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area High DC Current Gain-h =10(Min)@I = 2.5A FE C Low Saturation Voltage- V )= 1.5V(Max)@ I = 2.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for high power audio ,disk head positioners and other linear applications, which c

Другие транзисторы: 3DD6012A6, 3DD62, 3DD63, 3DD64, 3DD65, 3DD66, 3DD68, 3DD69, 2SD718, 3DD7, 3DD71, 3DD73, 3DD741A4, 3DD741A8, 3DD742A8, 3DD7525A3, 3DD8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.