Справочник транзисторов. 3DD6E-T

 

Биполярный транзистор 3DD6E-T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD6E-T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DD6E-T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  china
 3dd6e-t.pdf pdf_icon

3DD6E-T

3DD6E-T NPN PCM 50 W ICM 5.0 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=3.0mA 350 V V(BR)CEO ICE=3.0mA 250 V V(BR)EBO IEB=1.0mA 5.0 V ICEO VCE=100V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=2.5A V IB=0.25A VCEsat 1.2 VCE=5.0V hFE 15~270 IC=2.5A

 9.1. Size:221K  inchange semiconductor
 3dd6e.pdf pdf_icon

3DD6E-T

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD6EDESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaHigh DC Current Gain-h =10(Min)@I = 2.5AFE CLow Saturation Voltage-: V )= 1.5V(Max)@ I = 2.5ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for high power audio ,disk head positioners andother linear applications, which c

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MPSH08 | BDC04 | TI613 | 2N5834 | DTDG14GP | 2SD1772A | KRC284M

 

 
Back to Top

 


 
.