3DD73 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD73
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: AZ1
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3DD73 datasheet
3dd73.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD73 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion,low resistance liner process.Heavy out-put Current,small saturation voltage drop. Excellent out-put characteristic. 2. Implementation of standards GJB33 A-97 3. Use for Low-speed switch, power amplify,power adjustm
Otros transistores... 3DD64, 3DD65, 3DD66, 3DD68, 3DD69, 3DD6E-T, 3DD7, 3DD71, 2SC2073, 3DD741A4, 3DD741A8, 3DD742A8, 3DD7525A3, 3DD8, 3DD810, 3DD820, 3DD831
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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