3DD73 - описание и поиск аналогов

 

3DD73. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD73

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: AZ1

 Аналоги (замена) для 3DD73

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD73 даташит

 ..1. Size:27K  shaanxi
 3dd73.pdf pdf_icon

3DD73

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD73 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion,low resistance liner process.Heavy out-put Current,small saturation voltage drop. Excellent out-put characteristic. 2. Implementation of standards GJB33 A-97 3. Use for Low-speed switch, power amplify,power adjustm

Другие транзисторы: 3DD64, 3DD65, 3DD66, 3DD68, 3DD69, 3DD6E-T, 3DD7, 3DD71, 2SC2073, 3DD741A4, 3DD741A8, 3DD742A8, 3DD7525A3, 3DD8, 3DD810, 3DD820, 3DD831

 

 

 

 

↑ Back to Top
.