3DD810 Todos los transistores

 

3DD810 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD810

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3 TO257

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3DD810 datasheet

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3DD810

3DD810 NPN PCM Tc=75 50 W ICM 8 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 2.0 /W Ic=5.0A 25 Tc 75 V(BR)CBO ICB=5mA 150 V V(BR)CEO ICE=5mA 100 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=50V, 1.5 A ICEO VCE=50V 2.0 mA IEBO VEB=4.0V 1.5

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