Справочник транзисторов. 3DD810

 

Биполярный транзистор 3DD810 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD810
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3 TO257
 

 Аналог (замена) для 3DD810

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  china
 3dd810.pdf pdf_icon

3DD810

3DD810 NPN PCM Tc=75 50 W ICM 8 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 2.0 /W Ic=5.0A 25Tc75 V(BR)CBO ICB=5mA 150 V V(BR)CEO ICE=5mA 100 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=50V, 1.5 A ICEO VCE=50V 2.0 mA IEBO VEB=4.0V 1.5

Другие транзисторы... 3DD7 , 3DD71 , 3DD73 , 3DD741A4 , 3DD741A8 , 3DD742A8 , 3DD7525A3 , 3DD8 , 2SA1837 , 3DD820 , 3DD831 , 3DD8E , 3DD9 , 3DD99 , 3DD9D , 3DD9E , 3DF05 .

 

 
Back to Top

 


 
.