Биполярный транзистор 3DD810 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD810
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3 TO257
3DD810 Datasheet (PDF)
..1. Size:125K china
3dd810.pdf
3dd810.pdf
3DD810 NPN PCM Tc=75 50 W ICM 8 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 2.0 /W Ic=5.0A 25Tc75 V(BR)CBO ICB=5mA 150 V V(BR)CEO ICE=5mA 100 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=50V, 1.5 A ICEO VCE=50V 2.0 mA IEBO VEB=4.0V 1.5
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
