3DD820 Todos los transistores

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3DD820 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD820

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 1500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 10

Empaquetado / Estuche: TO3

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3DD820 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd820.pdf Size:114K _china

3DD820

3DD820 型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM Tc=75℃ 50 W ICM 5 A 极 Tjm 150 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 2.5 ℃/W Ic=2.5A 25℃≤Tc≤75℃ V(BR)CBO ICB=5mA ≥1500 V V(BR)CEO ICE=5mA ≥600 V V(BR)EBO IEB=5mA ≥5.0 V 直 ICBO VCB=VCBO, ≤1.0 mA 流 ICEO VCE=0.5VCEO ≤1.0 mA 参 Ic=4A VCEsat

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