Биполярный транзистор 3DD820 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD820
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
3DD820 Datasheet (PDF)
..1. Size:114K china
3dd820.pdf
3dd820.pdf
3DD820 NPN PCM Tc=75 50 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 2.5 /W Ic=2.5A 25Tc75 V(BR)CBO ICB=5mA 1500 V V(BR)CEO ICE=5mA 600 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=VCBO, 1.0 mA ICEO VCE=0.5VCEO 1.0 mA Ic=4A VCEsat
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050