3DD8E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD8E
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
Empaquetado / Estuche: TO3
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3DD8E Datasheet (PDF)
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3DD8E—T 型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TC≤75℃ 100 W ICM 10 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 1.0 ℃/W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA ≥350 V V(BR)CEO ICE=5mA ≥250 V V(BR)EBO IEB=5mA ≥5.0 V 直 ICEO VCE=100V ≤5.0 mA 流 参 IC=5A VCEsat ≤1.5 V 数 IB=0.5A VCE=5V hFE 7～180
Otros transistores... 3DD741A4 , 3DD741A8 , 3DD742A8 , 3DD7525A3 , 3DD8 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , BC546 , 3DD9 , 3DD99 , 3DD9D , 3DD9E , 3DF05 , 3DF1 , 3DF5 , 3DG100 .
