3DD8E Todos los transistores

 

3DD8E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD8E

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 7

Encapsulados: TO3

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3DD8E datasheet

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3DD8E

3DD8E T NPN PCM TC 75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1.0 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 350 V V(BR)CEO ICE=5mA 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICEO VCE=100V 5.0 mA IC=5A VCEsat 1.5 V IB=0.5A VCE=5V hFE 7 180

Otros transistores... 3DD741A4 , 3DD741A8 , 3DD742A8 , 3DD7525A3 , 3DD8 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , A940 , 3DD9 , 3DD99 , 3DD9D , 3DD9E , 3DF05 , 3DF1 , 3DF5 , 3DG100 .

 

 

 


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