3DD8E Todos los transistores

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3DD8E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD8E

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 7

Empaquetado / Estuche: TO3

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3DD8E Datasheet (PDF)

1.1. 3dd8e.pdf Size:154K _china

3DD8E

3DD8E—T 型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TC≤75℃ 100 W ICM 10 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 1.0 ℃/W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA ≥350 V V(BR)CEO ICE=5mA ≥250 V V(BR)EBO IEB=5mA ≥5.0 V 直 ICEO VCE=100V ≤5.0 mA 流 参 IC=5A VCEsat ≤1.5 V 数 IB=0.5A VCE=5V hFE 7~180

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