3DD8E Todos los transistores

 

3DD8E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD8E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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3DD8E Datasheet (PDF)

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3DD8E

3DD8ET NPN PCM TC75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.0 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 350 V V(BR)CEO ICE=5mA 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICEO VCE=100V 5.0 mA IC=5A VCEsat 1.5 V IB=0.5A VCE=5V hFE 7180

Otros transistores... 3DD741A4 , 3DD741A8 , 3DD742A8 , 3DD7525A3 , 3DD8 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , B772 , 3DD9 , 3DD99 , 3DD9D , 3DD9E , 3DF05 , 3DF1 , 3DF5 , 3DG100 .

History: 2SA1300 | 2SA1431 | SMUN5331DW

 

 
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