3DD8E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD8E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD8E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD8E даташит

 ..1. Size:154K  china
 3dd8e.pdf pdf_icon

3DD8E

3DD8E T NPN PCM TC 75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1.0 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 350 V V(BR)CEO ICE=5mA 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICEO VCE=100V 5.0 mA IC=5A VCEsat 1.5 V IB=0.5A VCE=5V hFE 7 180

Другие транзисторы: 3DD741A4, 3DD741A8, 3DD742A8, 3DD7525A3, 3DD8, 3DD810, 3DD820, 3DD831, A940, 3DD9, 3DD99, 3DD9D, 3DD9E, 3DF05, 3DF1, 3DF5, 3DG100