Справочник транзисторов. 3DD8E

 

Биполярный транзистор 3DD8E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD8E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 3DD8E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD8E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  china
 3dd8e.pdf pdf_icon

3DD8E

3DD8ET NPN PCM TC75 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.0 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 350 V V(BR)CEO ICE=5mA 250 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICEO VCE=100V 5.0 mA IC=5A VCEsat 1.5 V IB=0.5A VCE=5V hFE 7180

Другие транзисторы... 3DD741A4 , 3DD741A8 , 3DD742A8 , 3DD7525A3 , 3DD8 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , B772 , 3DD9 , 3DD99 , 3DD9D , 3DD9E , 3DF05 , 3DF1 , 3DF5 , 3DG100 .

 

 
Back to Top

 


 
.