3DD9E Todos los transistores

 

3DD9E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD9E

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 7

Encapsulados: TO3

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3DD9E datasheet

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3DD9E

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3DD9E

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 3DD9E DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor For audio amplifier applications A

Otros transistores... 3DD8 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , 3DD8E , 3DD9 , 3DD99 , 3DD9D , TIP35C , 3DF05 , 3DF1 , 3DF5 , 3DG100 , 3DG1009A , 3DG101 , 3DG102 , 3DG103 .

History: DTA043ZUB | 3DG102 | 3DG1009A | 3DF1

 

 

 

 

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