3DD9E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD9E
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
Empaquetado / Estuche: TO3
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3DD9E Datasheet (PDF)
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3DD9E—T 型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TC≤75℃ 150 W ICM 15 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 0.67 ℃/W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA ≥350 V V(BR)CEO ICE=5mA ≥250 V V(BR)EBO IEB=10mA ≥5.0 V 直 ICEO VCE=100V ≤5.0 mA 流 参 IC=7.5A VCEsat ≤1.5 V 数 IB=0.75A VCE=5V hFE 7
Otros transistores... 3DD8 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , 3DD8E , 3DD9 , 3DD99 , 3DD9D , 2N3773 , 3DF05 , 3DF1 , 3DF5 , 3DG100 , 3DG1009A , 3DG101 , 3DG102 , 3DG103 .
