Справочник транзисторов. 3DD9E

 

Биполярный транзистор 3DD9E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DD9E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD9E

 

 

3DD9E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  china
3dd9e.pdf

3DD9E

3DD9ET NPN PCM TC75 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 0.67 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 350 V V(BR)CEO ICE=5mA 250 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICEO VCE=100V 5.0 mA IC=7.5A VCEsat 1.5 V IB=0.75A VCE=5V hFE 7

 ..2. Size:193K  inchange semiconductor
3dd9e.pdf

3DD9E
3DD9E

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 3DD9EDESCRIPTIONWith TO-3 packagingLarge collector currentLow collector saturation voltageHigh power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in DC-DC converterDriver of solenoid or motorFor audio amplifier applicationsA

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top