3DD9E - описание и поиск аналогов

 

3DD9E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD9E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD9E

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD9E даташит

 ..1. Size:154K  china
 3dd9e.pdf pdf_icon

3DD9E

 ..2. Size:193K  inchange semiconductor
 3dd9e.pdf pdf_icon

3DD9E

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 3DD9E DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor For audio amplifier applications A

Другие транзисторы... 3DD8 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , 3DD8E , 3DD9 , 3DD99 , 3DD9D , TIP35C , 3DF05 , 3DF1 , 3DF5 , 3DG100 , 3DG1009A , 3DG101 , 3DG102 , 3DG103 .

History: 2SD2406

 

 

 

 

↑ Back to Top
.