Справочник транзисторов. 3DD9E

 

Биполярный транзистор 3DD9E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD9E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 3DD9E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD9E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  china
 3dd9e.pdf pdf_icon

3DD9E

3DD9ET NPN PCM TC75 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 0.67 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 350 V V(BR)CEO ICE=5mA 250 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICEO VCE=100V 5.0 mA IC=7.5A VCEsat 1.5 V IB=0.75A VCE=5V hFE 7

 ..2. Size:193K  inchange semiconductor
 3dd9e.pdf pdf_icon

3DD9E

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 3DD9EDESCRIPTIONWith TO-3 packagingLarge collector currentLow collector saturation voltageHigh power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in DC-DC converterDriver of solenoid or motorFor audio amplifier applicationsA

Другие транзисторы... 3DD8 , 3DD810 , 3DD820 , 3DD831 , 3DD8E , 3DD9 , 3DD99 , 3DD9D , 2SC1815 , 3DF05 , 3DF1 , 3DF5 , 3DG100 , 3DG1009A , 3DG101 , 3DG102 , 3DG103 .

 

 
Back to Top

 


 
.