3DG1162 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3DG1162
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO126F

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DG1162

3DG1162 Datasheet (PDF)

..1. Size:236K foshan
3dg1162.pdf

2SC1162(3DG1162) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier. : 2SA715(3CG715)/Features: Complementary pair with 2SA715(3CG715). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 35 V CBO V 35 V CEO V 5.0 V EBO I 2.5 A C I 3.0 A

9.1. Size:118K china
3dg117b.pdf

3DG117B NPN PCM TA=25 300 mW ICM 30 mA Tjm 175 Tstg -55~175 V(BR)CBO ICB=0.1mA 160 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 160 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICEO VCE=10V 0.1 A IC=10mA VCEsat 0.7 V IB=1mA VCE=10V hFE 30 IC=5mA VCE=10V

9.2. Size:127K china
3dg112.pdf

3DG112 NPN A B C D PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 20 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 15 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

9.3. Size:128K china
3dg111.pdf

3DG111 NPN A B C D PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 60 80 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

9.4. Size:103K china
3dg114b.pdf

3DG114B NPN PCM TA=25 1000 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 1.0 A VBEsat 0.5 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 1.5 VC

9.5. Size:127K china
3dg110.pdf

3DG110 NPN A B C D PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 40 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 45 30 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.03 A ICEO VCE=10V 0.5 A IEBO VEB=1.5V 0.05 A

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050