Биполярный транзистор 3DG1162 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG1162
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO126F
3DG1162 Datasheet (PDF)
3dg1162.pdf
2SC1162(3DG1162) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier. : 2SA715(3CG715)/Features: Complementary pair with 2SA715(3CG715). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 35 V CBO V 35 V CEO V 5.0 V EBO I 2.5 A C I 3.0 A
3dg117b.pdf
3DG117B NPN PCM TA=25 300 mW ICM 30 mA Tjm 175 Tstg -55~175 V(BR)CBO ICB=0.1mA 160 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 160 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICEO VCE=10V 0.1 A IC=10mA VCEsat 0.7 V IB=1mA VCE=10V hFE 30 IC=5mA VCE=10V
3dg112.pdf
3DG112 NPN A B C D PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 20 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 15 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A
3dg111.pdf
3DG111 NPN A B C D PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 60 80 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A
3dg114b.pdf
3DG114B NPN PCM TA=25 1000 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 1.0 A VBEsat 0.5 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 1.5 VC
3dg110.pdf
3DG110 NPN A B C D PCM 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 40 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 45 30 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.03 A ICEO VCE=10V 0.5 A IEBO VEB=1.5V 0.05 A
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ