3DG150 Todos los transistores

 

3DG150 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG150
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO18
     - Selección de transistores por parámetros

 

3DG150 Datasheet (PDF)

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3DG150

3DG150 NPN A B C D PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 90 150 210 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=1.5V 0.5 A IC=50mA VCEsat 1.0 V IB=5mA VCE=20V hFE 25~270 IC=1

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC647P | DTL3512 | 3CG2048 | BD909 | KSB795 | GT400-6A | 2N5375

 

 
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