3DG150 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG150
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO18
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3DG150 datasheet
3dg150.pdf
3DG150 NPN A B C D PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 90 150 210 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=1.5V 0.5 A IC=50mA VCEsat 1.0 V IB=5mA VCE=20V hFE 25 270 IC=1
Otros transistores... 3DG130 , 3DG1317 , 3DG1318 , 3DG140 , 3DG1417 , 3DG142 , 3DG1473 , 3DG1473A , 2SA1015 , 3DG160 , 3DG161 , 3DG162 , 3DG1623 , 3DG1627A , 3DG1627AF , 3DG1675 , 3DG1740M .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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