Биполярный транзистор 3DG150 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG150
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO18
3DG150 Datasheet (PDF)
..1. Size:115K china
3dg150.pdf
3dg150.pdf
3DG150 NPN A B C D PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 90 150 210 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=1.5V 0.5 A IC=50mA VCEsat 1.0 V IB=5mA VCE=20V hFE 25~270 IC=1
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ