3DG150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG150  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG150

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG150 даташит

 ..1. Size:115K  china
 3dg150.pdf pdf_icon

3DG150

3DG150 NPN A B C D PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 90 150 210 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=1.5V 0.5 A IC=50mA VCEsat 1.0 V IB=5mA VCE=20V hFE 25 270 IC=1

Другие транзисторы: 3DG130, 3DG1317, 3DG1318, 3DG140, 3DG1417, 3DG142, 3DG1473, 3DG1473A, BD678A, 3DG160, 3DG161, 3DG162, 3DG1623, 3DG1627A, 3DG1627AF, 3DG1675, 3DG1740M