Справочник транзисторов. 3DG150

 

Биполярный транзистор 3DG150 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG150
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO18
 

 Аналог (замена) для 3DG150

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  china
 3dg150.pdf pdf_icon

3DG150

3DG150 NPN A B C D PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 90 150 210 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=1.5V 0.5 A IC=50mA VCEsat 1.0 V IB=5mA VCE=20V hFE 25~270 IC=1

Другие транзисторы... 3DG130 , 3DG1317 , 3DG1318 , 3DG140 , 3DG1417 , 3DG142 , 3DG1473 , 3DG1473A , 2SC2240 , 3DG160 , 3DG161 , 3DG162 , 3DG1623 , 3DG1627A , 3DG1627AF , 3DG1675 , 3DG1740M .

History: 2SA357 | DTS3704 | AD-BC856-A | IT132 | NB212EI | PBC182 | 2SC631

 

 
Back to Top

 


 
.