3DG160 Todos los transistores

 

3DG160 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG160
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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3DG160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:25K  shaanxi
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3DG160

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DG160NPN Silicon High Reverse Voltage High Frequency Low Power TransistorFeatures: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification

 9.1. Size:309K  blue-rocket-elect
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3DG160

2SC1684(BR3DG1684) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features , High hFE, low VCE(sat). / Applications General purpose amplifier. / Equivalent Circuit

 9.2. Size:114K  china
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3DG160

3DG162 NPN A B C D E F G H I J PCM 300 mW IC 20 mA Tjm 175 V(BR)CB ICB=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 V(BR)CE ICE=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V O 0 0 0 0 0 V(BR)EB 5.0 0 0 0 0 0 V

 9.3. Size:126K  china
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3DG160

3DG161(A~G) NPN A B C D E F G PCM TA=25 300 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CEO ICE=0.5mA 60 100 140 180 220 260 300 V 0 V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCE=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VCE=1.5V 0.1 A VBEsat IC=10mA 3

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History: DTA114EM3 | AC107M | BTB1184J3

 

 
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