Биполярный транзистор 3DG160 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 3DG160
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO18
Аналог (замена) для 3DG160
3DG160 Datasheet (PDF)
3dg160.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DG160NPN Silicon High Reverse Voltage High Frequency Low Power TransistorFeatures: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification
br3dg1684.pdf

2SC1684(BR3DG1684) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features , High hFE, low VCE(sat). / Applications General purpose amplifier. / Equivalent Circuit
3dg162.pdf

3DG162 NPN A B C D E F G H I J PCM 300 mW IC 20 mA Tjm 175 V(BR)CB ICB=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 V(BR)CE ICE=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V O 0 0 0 0 0 V(BR)EB 5.0 0 0 0 0 0 V
3dg161.pdf

3DG161(A~G) NPN A B C D E F G PCM TA=25 300 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CEO ICE=0.5mA 60 100 140 180 220 260 300 V 0 V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCE=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VCE=1.5V 0.1 A VBEsat IC=10mA 3
Другие транзисторы... 3DG1317 , 3DG1318 , 3DG140 , 3DG1417 , 3DG142 , 3DG1473 , 3DG1473A , 3DG150 , BC639 , 3DG161 , 3DG162 , 3DG1623 , 3DG1627A , 3DG1627AF , 3DG1675 , 3DG1740M , 3DG1740S .
History: BUF646 | TN5449 | 2SD478 | BLY12 | DMC56103 | KN4A4M | NSVMUN5211DW1T3G
History: BUF646 | TN5449 | 2SD478 | BLY12 | DMC56103 | KN4A4M | NSVMUN5211DW1T3G



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor