3DG1675 Todos los transistores

 

3DG1675 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DG1675

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.9 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO92

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3DG1675 datasheet

 ..1. Size:407K  foshan
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3DG1675

2SC1675(3DG1675) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , / , / Purpose AM converter ,AM/FM IF amplifier and local oscillator of AM/FM tuner. , Features Small output capacitance, low noise figure. /Absolute maximum ratings

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3DG1675

2SC1684(BR3DG1684) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features , High hFE, low VCE(sat). / Applications General purpose amplifier. / Equivalent Circuit

 9.2. Size:114K  china
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3DG1675

3DG162 NPN A B C D E F G H I J PCM 300 mW IC 20 mA Tjm 175 V(BR)CB ICB=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 V(BR)CE ICE=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V O 0 0 0 0 0 V(BR)EB 5.0 0 0 0 0 0 V

 9.3. Size:126K  china
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3DG1675

3DG161(A G) NPN A B C D E F G PCM TA=25 300 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CEO ICE=0.5mA 60 100 140 180 220 260 300 V 0 V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCE=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VCE=1.5V 0.1 A VBEsat IC=10mA 3

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