Биполярный транзистор 3DG1675 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG1675
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
3DG1675 Datasheet (PDF)
3dg1675.pdf
2SC1675(3DG1675) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,/,/ Purpose: AM converter ,AM/FM IF amplifier and local oscillator of AM/FM tuner. :, Features: Small output capacitance, low noise figure. /Absolute maximum ratings
br3dg1684.pdf
2SC1684(BR3DG1684) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features , High hFE, low VCE(sat). / Applications General purpose amplifier. / Equivalent Circuit
3dg162.pdf
3DG162 NPN A B C D E F G H I J PCM 300 mW IC 20 mA Tjm 175 V(BR)CB ICB=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 V(BR)CE ICE=0.1mA 6 10 14 18 22 6 10 14 18 22 V O 0 0 0 0 0 V(BR)EB 5.0 0 0 0 0 0 V
3dg161.pdf
3DG161(A~G) NPN A B C D E F G PCM TA=25 300 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CEO ICE=0.5mA 60 100 140 180 220 260 300 V 0 V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCE=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VCE=1.5V 0.1 A VBEsat IC=10mA 3
3dg1627a.pdf
2SC1627A(3DG1627A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Driver stage amplifier and voltage amplifier. 3035W 2SA817A(3CG817A) Features: Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SA817A(3CG817A)./Absolute maximum ratings(Ta=25
3dg1623.pdf
2SC1623(3DG1623) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency general amplifier application. : h , V 2SA812(3CG812)/Features: High h and V , complementary pair FE CEO, FE CEOwith 2SA812(3CG812). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V
3dg1627af.pdf
2SC1627AF(3DG1627AF) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Driver stage amplifier and voltage amplifier. 3035W 2SA817AF(3CG817AF) Features: Driver stage of 30 to 35 watts application, complementary pair with 2SA817AF(3CG817AF). /Absolute maximum ratings(
3dg160.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DG160NPN Silicon High Reverse Voltage High Frequency Low Power TransistorFeatures: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050