3DG2001 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG2001
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 90
Encapsulados: TO92
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3DG2001 datasheet
3dg2001.pdf
2SC2001(3DG2001) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Output stage of portable radio and cassette type tape recorder, general purpose applications. , h /Features High total power dissipation, FE low V and high h . CE(sat) FE /Absolut
3dg2053.pdf
3DG2053(2SC2053) NPN PCM TA=25 600 mW ICM 300 mA Tjm 135 Tstg -55 135 V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=10mA 17 V V(BR)EBO IEB=1mA 4.0 V ICBO VCB=15V 20 A IEBO VCB=3V 20 A VCE=5V hFE 50 IC=10mA 1. E
3dg2058s.pdf
2SC2058S(3DG2058S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA C P 300 mW C T 150 j T -55 150 stg /Electrical characteristics(
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History: 3DG1959M
History: 3DG1959M
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