3DG2001 - описание и поиск аналогов

 

3DG2001. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG2001

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG2001

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2001 даташит

 ..1. Size:467K  lzg
 3dg2001.pdf pdf_icon

3DG2001

2SC2001(3DG2001) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Output stage of portable radio and cassette type tape recorder, general purpose applications. , h /Features High total power dissipation, FE low V and high h . CE(sat) FE /Absolut

 9.1. Size:119K  china
 3dg2053.pdf pdf_icon

3DG2001

3DG2053(2SC2053) NPN PCM TA=25 600 mW ICM 300 mA Tjm 135 Tstg -55 135 V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=10mA 17 V V(BR)EBO IEB=1mA 4.0 V ICBO VCB=15V 20 A IEBO VCB=3V 20 A VCE=5V hFE 50 IC=10mA 1. E

 9.2. Size:345K  foshan
 3dg2060.pdf pdf_icon

3DG2001

 9.3. Size:211K  lzg
 3dg2058s.pdf pdf_icon

3DG2001

2SC2058S(3DG2058S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA C P 300 mW C T 150 j T -55 150 stg /Electrical characteristics(

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DG183 , 3DG1859 , 3DG1906 , 3DG1921 , 3DG1923 , 3DG1959 , 3DG1959M , 3DG19A , BD139 , 3DG2053 , 3DG2058S , 3DG2060 , 3DG210 , 3DG2102 , 3DG2120 , 3DG2216 , 3DG2216M .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.