3DG210 Todos los transistores

 

3DG210 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG210
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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3DG210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  china
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3DG210

3DG210 NPN A B C PCM 1000 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 80 100 120 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 80 100 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.1 A VBEsat

 0.1. Size:115K  china
3dg2102.pdf pdf_icon

3DG210

3DG2102 NPN A B C PCM TA=25 1000 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 80 100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6 V ICBO VCE=10V 0.1 A VBEsat 1.2 Ic=500mA V IB=50mA VCEsat

 9.1. Size:262K  lzg
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3DG210

2SC2120(3DG2120) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency power amplifier applications. : h , 1W , 2SA950(3CG950)/Features: High h ,1 watts amplifier FEFE,applications, complementary pair with 2SA950(3CG950). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

Otros transistores... 3DG1923 , 3DG1959 , 3DG1959M , 3DG19A , 3DG2001 , 3DG2053 , 3DG2058S , 3DG2060 , 2N5401 , 3DG2102 , 3DG2120 , 3DG2216 , 3DG2216M , 3DG2218A , 3DG2219 , 3DG2222 , 3DG2222A .

 

 
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