Справочник транзисторов. 3DG210

 

Биполярный транзистор 3DG210 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG210
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3DG210

 

 

3DG210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  china
3dg210.pdf

3DG210

3DG210 NPN A B C PCM 1000 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 80 100 120 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 80 100 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.1 A VBEsat

 0.1. Size:115K  china
3dg2102.pdf

3DG210

3DG2102 NPN A B C PCM TA=25 1000 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 80 100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6 V ICBO VCE=10V 0.1 A VBEsat 1.2 Ic=500mA V IB=50mA VCEsat

 9.1. Size:262K  lzg
3dg2120.pdf

3DG210 3DG210

2SC2120(3DG2120) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency power amplifier applications. : h , 1W , 2SA950(3CG950)/Features: High h ,1 watts amplifier FEFE,applications, complementary pair with 2SA950(3CG950). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top