3DG2383T Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG2383T
Código: H83R_H83O_H83Y
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: SOT89
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3DG2383T datasheet
3dg2383t.pdf
2SC2383T(3DG2383T) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , Purpose Color TV class B sound output applications. V , 2SA1013T(3CG1013T) CEO Features High V , complementary pair with 2SA1013T(3CG1013T). CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit
3dg2383.pdf
2SC2383(3DG2383) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , Purpose Color TV class B sound output applications. V , 2SA1013(3CG1013) CEO Features High V , complementary pair with 2SA1013(3CG1013). CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 160
3dg2308.pdf
2SC2308(3DG2308) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , 2SA1030(3CG1030) Purpose Low frequency amplifier, complementary pair with 2SA1030(3CG1030). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 55 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C I -100 mA E P 200 mW C T
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History: 3DG2404
History: 3DG2404
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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