Биполярный транзистор 3DG2383T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG2383T
Маркировка: H83R_H83O_H83Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT89
3DG2383T Datasheet (PDF)
1.1. 3dg2383t.pdf 
Size:257K _china
2SC2383T(3DG2383T) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于彩电帧输出,伴音输出。 Purpose: Color TV class B sound output applications. 特点:V 高,可与 2SA1013T(3CG1013T)互补。 CEO Features: High V , complementary pair with 2SA1013T(3CG1013T). CEO 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit
3.1. 3dg2383.pdf Size:228K _china
2SC2383(3DG2383) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于彩电帧输出,伴音输出。 Purpose: Color TV class B sound output applications. 特点:V 高,可与 2SA1013(3CG1013)互补。 CEO Features: High V , complementary pair with 2SA1013(3CG1013). CEO 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 160
5.1. 3dg2308.pdf Size:177K _china
2SC2308(3DG2308) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于低频放大,与 2SA1030(3CG1030)互补。 Purpose: Low frequency amplifier, complementary pair with 2SA1030(3CG1030). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 55 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C I -100 mA E P 200 mW C T
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
