Справочник транзисторов. 3DG2383T

 

Биполярный транзистор 3DG2383T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG2383T
   Маркировка: H83R_H83O_H83Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для 3DG2383T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2383T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  lzg
 3dg2383t.pdf pdf_icon

3DG2383T

2SC2383T(3DG2383T) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: Color TV class B sound output applications. :V , 2SA1013T(3CG1013T) CEOFeatures: High V , complementary pair with 2SA1013T(3CG1013T). CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit

 7.1. Size:228K  lzg
 3dg2383.pdf pdf_icon

3DG2383T

2SC2383(3DG2383) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: Color TV class B sound output applications. :V , 2SA1013(3CG1013) CEOFeatures: High V , complementary pair with 2SA1013(3CG1013). CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 160

 9.1. Size:177K  foshan
 3dg2308.pdf pdf_icon

3DG2383T

2SC2308(3DG2308) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, 2SA1030(3CG1030) Purpose: Low frequency amplifier, complementary pair with 2SA1030(3CG1030). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 55 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA CI -100 mA E P 200 mW C T

Другие транзисторы... 3DG2230A , 3DG2235 , 3DG2236 , 3DG2240 , 3DG2274 , 3DG2274K , 3DG2308 , 3DG2383 , 13003 , 3DG2404 , 3DG2411K , 3DG2412K , 3DG2413K , 3DG2458 , 3DG2482 , 3DG2482HA1 , 3DG2500 .

 

 
Back to Top

 


 
.