3DG2383T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG2383T  📄📄 

Маркировка: H83R_H83O_H83Y

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG2383T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2383T даташит

 ..1. Size:257K  lzg
 3dg2383t.pdf pdf_icon

3DG2383T

2SC2383T(3DG2383T) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , Purpose Color TV class B sound output applications. V , 2SA1013T(3CG1013T) CEO Features High V , complementary pair with 2SA1013T(3CG1013T). CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit

 7.1. Size:228K  lzg
 3dg2383.pdf pdf_icon

3DG2383T

2SC2383(3DG2383) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , Purpose Color TV class B sound output applications. V , 2SA1013(3CG1013) CEO Features High V , complementary pair with 2SA1013(3CG1013). CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 160

 9.1. Size:177K  foshan
 3dg2308.pdf pdf_icon

3DG2383T

2SC2308(3DG2308) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , 2SA1030(3CG1030) Purpose Low frequency amplifier, complementary pair with 2SA1030(3CG1030). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 55 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C I -100 mA E P 200 mW C T

Другие транзисторы: 3DG2230A, 3DG2235, 3DG2236, 3DG2240, 3DG2274, 3DG2274K, 3DG2308, 3DG2383, 2SC4793, 3DG2404, 3DG2411K, 3DG2412K, 3DG2413K, 3DG2458, 3DG2482, 3DG2482HA1, 3DG2500