Справочник транзисторов. 3DG2383T

 

Биполярный транзистор 3DG2383T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG2383T
   Маркировка: H83R_H83O_H83Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 3DG2383T

 

 

3DG2383T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  lzg
3dg2383t.pdf

3DG2383T
3DG2383T

2SC2383T(3DG2383T) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: Color TV class B sound output applications. :V , 2SA1013T(3CG1013T) CEOFeatures: High V , complementary pair with 2SA1013T(3CG1013T). CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit

 7.1. Size:228K  lzg
3dg2383.pdf

3DG2383T
3DG2383T

2SC2383(3DG2383) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: Color TV class B sound output applications. :V , 2SA1013(3CG1013) CEOFeatures: High V , complementary pair with 2SA1013(3CG1013). CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 160

 9.1. Size:177K  foshan
3dg2308.pdf

3DG2383T
3DG2383T

2SC2308(3DG2308) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, 2SA1030(3CG1030) Purpose: Low frequency amplifier, complementary pair with 2SA1030(3CG1030). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 55 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA CI -100 mA E P 200 mW C T

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top