3DG2668 Todos los transistores

 

3DG2668 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG2668
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 550 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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3DG2668 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  foshan
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3DG2668

2SC2668(3DG2668) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,,, Purpose: High frequency amplifier, FM,RF,MIX IF amplifier applications. :, Features: Small reverse transfer capacitance, low noise figure. /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.1. Size:253K  lzg
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3DG2668

2SC2655(3DG2655) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,/Purpose: Power amplifier and switching applications. :,, 2SA1020(3CG1020)/Features: Low saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SA1020(3CG1020). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.2. Size:235K  lzg
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3DG2668

2SC2610(3DG2610) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: High voltage amplifier, TV video output. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C P 800 mW CT 150 j T -55150 stg

Otros transistores... 3DG2412K , 3DG2413K , 3DG2458 , 3DG2482 , 3DG2482HA1 , 3DG2500 , 3DG2610 , 3DG2655 , A940 , 3DG27 , 3DG2703 , 3DG2710 , 3DG2712 , 3DG2714 , 3DG2715 , 3DG2717 , 3DG2717M .

History: BFQ29P | FZT600B

 

 
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