Справочник транзисторов. 3DG2668

 

Биполярный транзистор 3DG2668 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG2668
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG2668

 

 

3DG2668 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  foshan
3dg2668.pdf

3DG2668
3DG2668

2SC2668(3DG2668) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,,, Purpose: High frequency amplifier, FM,RF,MIX IF amplifier applications. :, Features: Small reverse transfer capacitance, low noise figure. /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.1. Size:253K  lzg
3dg2655.pdf

3DG2668
3DG2668

2SC2655(3DG2655) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,/Purpose: Power amplifier and switching applications. :,, 2SA1020(3CG1020)/Features: Low saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SA1020(3CG1020). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.2. Size:235K  lzg
3dg2610.pdf

3DG2668
3DG2668

2SC2610(3DG2610) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: High voltage amplifier, TV video output. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 5.0 V EBO I 100 mA C P 800 mW CT 150 j T -55150 stg

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top