3DG27 Todos los transistores

 

3DG27 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DG27

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO18

 Búsqueda de reemplazo de 3DG27

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3DG27 datasheet

 ..1. Size:110K  china
3dg27.pdf pdf_icon

3DG27

3DG27 NPN A B C D E PCM TA=25 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 100 140 180 220 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 100 140 180 220 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=30V 2.0 A ICEO VCE=30V 2.0 A IEBO

 0.1. Size:177K  foshan
3dg2736.pdf pdf_icon

3DG27

2SC2736(3DG2736) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , Purpose UHF/VHF frequency converter, local oscillator. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 50 mA C P 150 mW C T 150 j T -55

 0.2. Size:223K  foshan
3dg2710.pdf pdf_icon

3DG27

2SC2710(3DG2710) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio amplifier applications. , 2SA1150(3CG1150) Features High DC current gain, complementary pair with 2SA1150(3CG1150). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 35 V CBO

 0.3. Size:211K  foshan
3dg2717.pdf pdf_icon

3DG27

2SC2717(3DG2717) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose TV final picture IF amplifier applications. ,h /Features High gain, good linearity of h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I

Otros transistores... 3DG2413K , 3DG2458 , 3DG2482 , 3DG2482HA1 , 3DG2500 , 3DG2610 , 3DG2655 , 3DG2668 , 2SC4793 , 3DG2703 , 3DG2710 , 3DG2712 , 3DG2714 , 3DG2715 , 3DG2717 , 3DG2717M , 3DG2732 .

History: 3DG2734

 

 

 


History: 3DG2734

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550

 

 

 

Popular searches

c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r

 

 

↑ Back to Top
.