3DG27 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG27  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG27

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG27 даташит

 ..1. Size:110K  china
3dg27.pdfpdf_icon

3DG27

3DG27 NPN A B C D E PCM TA=25 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 60 100 140 180 220 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 100 140 180 220 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=30V 2.0 A ICEO VCE=30V 2.0 A IEBO

 0.1. Size:177K  foshan
3dg2736.pdfpdf_icon

3DG27

2SC2736(3DG2736) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , Purpose UHF/VHF frequency converter, local oscillator. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 50 mA C P 150 mW C T 150 j T -55

 0.2. Size:223K  foshan
3dg2710.pdfpdf_icon

3DG27

2SC2710(3DG2710) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio amplifier applications. , 2SA1150(3CG1150) Features High DC current gain, complementary pair with 2SA1150(3CG1150). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 35 V CBO

 0.3. Size:211K  foshan
3dg2717.pdfpdf_icon

3DG27

2SC2717(3DG2717) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose TV final picture IF amplifier applications. ,h /Features High gain, good linearity of h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I

Другие транзисторы: 3DG2413K, 3DG2458, 3DG2482, 3DG2482HA1, 3DG2500, 3DG2610, 3DG2655, 3DG2668, 2N2222A, 3DG2703, 3DG2710, 3DG2712, 3DG2714, 3DG2715, 3DG2717, 3DG2717M, 3DG2732