3DG2712 Todos los transistores

 

3DG2712 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG2712
   Código: HLO_HLY_HLG_HLL
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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3DG2712 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  foshan
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3DG2712

2SC2712(3DG2712) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency general purpose amplifier applications. Features: High voltage, high current, high h , low noise, excellent h linearity. FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 8.1. Size:223K  foshan
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3DG2712

2SC2710(3DG2710) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio amplifier applications. : , 2SA1150(3CG1150) Features: High DC current gain, complementary pair with 2SA1150(3CG1150). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 35 V CBO

 8.2. Size:211K  foshan
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3DG2712

2SC2717(3DG2717) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: TV final picture IF amplifier applications. :,h /Features: High gain, good linearity of h . FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I

 8.3. Size:234K  foshan
 3dg2717m.pdf pdf_icon

3DG2712

2SC2717M(3DG2717M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: TV final picture IF amplifier applications. :,h /Features: High gain, good linearity of h . FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO

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History: CJD3439 | BSP52T3 | CSC3936 | MPS6544 | 2SC659 | KT683V | 2SD1443A

 

 
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