Справочник транзисторов. 3DG2712

 

Биполярный транзистор 3DG2712 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG2712

Маркировка: HLO_HLY_HLG_HLL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для 3DG2712

 

 

3DG2712 Datasheet (PDF)

1.1. 3dg2712.pdf Size:297K _china

3DG2712
3DG2712

2SC2712(3DG2712) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于普通音频放大。 Purpose: Audio frequency general purpose amplifier applications. 特点:电压,电流,放大高,噪声低,放大线性好 Features: High voltage, high current, high h , low noise, excellent h linearity. FE FE 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号

4.1. 3dg2717m.pdf Size:234K _china

3DG2712
3DG2712

2SC2717M(3DG2717M) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于电视末级图象放大。/Purpose: TV final picture IF amplifier applications. 特点:增益高,h 线性好。/Features: High gain, good linearity of h . FE FE 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO

4.2. 3dg2715.pdf Size:171K _china

3DG2712
3DG2712

2SC2715(3DG2715) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于高频放大。/Purpose: High frequency amplifier applications. 特点:功率增益高,用于调频中频,振荡级和调幅转换中频级。 Features: High power gain, recommended for FM IF,OSC stage and AM CONV.IF stage. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Sy

 4.3. 3dg2710.pdf Size:223K _china

3DG2712
3DG2712

2SC2710(3DG2710) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途: 用于音频放大。 Purpose: Audio amplifier applications. 特点: 直流电流增益高,可与 2SA1150(3CG1150)互补。 Features: High DC current gain, complementary pair with 2SA1150(3CG1150). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 35 V CBO

4.4. 3dg2714.pdf Size:189K _china

3DG2712
3DG2712

2SC2714(3DG2714) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于高频放大。/Purpose: High frequency amplifier applications. 特点:反向传输电容小,噪声系数低。 Features: Small reverse transfer capacitance, low noise figure. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 30 V CEO V 4

 4.5. 3dg2717.pdf Size:211K _china

3DG2712
3DG2712

2SC2717(3DG2717) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于电视末级图象放大。/Purpose: TV final picture IF amplifier applications. 特点:增益高,h 线性好。/Features: High gain, good linearity of h . FE FE 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


3DG2712
  3DG2712
  3DG2712
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top