Биполярный транзистор 3DG2712 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG2712
Маркировка: HLO_HLY_HLG_HLL
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT23
3DG2712 Datasheet (PDF)
1.1. 3dg2712.pdf 
Size:297K _china
2SC2712(3DG2712) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于普通音频放大。 Purpose: Audio frequency general purpose amplifier applications. 特点：电压，电流，放大高，噪声低，放大线性好 Features: High voltage, high current, high h , low noise, excellent h linearity. FE FE 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号
4.1. 3dg2717m.pdf Size:234K _china
2SC2717M(3DG2717M) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于电视末级图象放大。/Purpose: TV final picture IF amplifier applications. 特点:增益高,h 线性好。/Features: High gain, good linearity of h . FE FE 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO
4.2. 3dg2715.pdf Size:171K _china
2SC2715(3DG2715) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于高频放大。/Purpose: High frequency amplifier applications. 特点:功率增益高，用于调频中频，振荡级和调幅转换中频级。 Features: High power gain, recommended for FM IF,OSC stage and AM CONV.IF stage. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Sy
4.3. 3dg2710.pdf Size:223K _china
2SC2710(3DG2710) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途: 用于音频放大。 Purpose: Audio amplifier applications. 特点: 直流电流增益高,可与 2SA1150(3CG1150)互补。 Features: High DC current gain, complementary pair with 2SA1150(3CG1150). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 35 V CBO
4.4. 3dg2714.pdf Size:189K _china
2SC2714(3DG2714) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于高频放大。/Purpose: High frequency amplifier applications. 特点:反向传输电容小,噪声系数低。 Features: Small reverse transfer capacitance, low noise figure. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 30 V CEO V 4
4.5. 3dg2717.pdf Size:211K _china
2SC2717(3DG2717) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于电视末级图象放大。/Purpose: TV final picture IF amplifier applications. 特点:增益高,h 线性好。/Features: High gain, good linearity of h . FE FE 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
