3DG2717M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG2717M
Código: H17
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: SOT23
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3DG2717M datasheet
3dg2717m.pdf
2SC2717M(3DG2717M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose TV final picture IF amplifier applications. ,h /Features High gain, good linearity of h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO
3dg2717.pdf
2SC2717(3DG2717) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose TV final picture IF amplifier applications. ,h /Features High gain, good linearity of h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I
3dg2710.pdf
2SC2710(3DG2710) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio amplifier applications. , 2SA1150(3CG1150) Features High DC current gain, complementary pair with 2SA1150(3CG1150). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 35 V CBO
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Liste
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