3DG2717M Todos los transistores

 

3DG2717M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG2717M
   Código: H17
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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3DG2717M datasheet

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3DG2717M

2SC2717M(3DG2717M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose TV final picture IF amplifier applications. ,h /Features High gain, good linearity of h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO

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3DG2717M

2SC2717(3DG2717) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose TV final picture IF amplifier applications. ,h /Features High gain, good linearity of h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I

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3DG2717M

2SC2710(3DG2710) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio amplifier applications. , 2SA1150(3CG1150) Features High DC current gain, complementary pair with 2SA1150(3CG1150). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 35 V CBO

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3DG2717M

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