3DG2717M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG2717M  📄📄 

Маркировка: H17

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG2717M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2717M даташит

 ..1. Size:234K  foshan
 3dg2717m.pdf pdf_icon

3DG2717M

2SC2717M(3DG2717M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose TV final picture IF amplifier applications. ,h /Features High gain, good linearity of h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO

 7.1. Size:211K  foshan
 3dg2717.pdf pdf_icon

3DG2717M

2SC2717(3DG2717) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose TV final picture IF amplifier applications. ,h /Features High gain, good linearity of h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 25 V CEO V 4.0 V EBO I

 8.1. Size:223K  foshan
 3dg2710.pdf pdf_icon

3DG2717M

2SC2710(3DG2710) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio amplifier applications. , 2SA1150(3CG1150) Features High DC current gain, complementary pair with 2SA1150(3CG1150). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 35 V CBO

 8.2. Size:297K  foshan
 3dg2712.pdf pdf_icon

3DG2717M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG2668, 3DG27, 3DG2703, 3DG2710, 3DG2712, 3DG2714, 3DG2715, 3DG2717, BC546, 3DG2732, 3DG2734, 3DG2736, 3DG2785, 3DG2786, 3DG2812, 3DG2839, 3DG2873