3DG2873 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG2873
Código: HMO_HMY
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: SOT89
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3DG2873 datasheet
3dg2878.pdf
2SC2878(3DG2878) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose For muting and switching applications. , /Features High reverse h reverse FE h =150(V =-2V,I =-2mA),low on resistance. FE CE C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating
Otros transistores... 3DG2717M , 3DG2732 , 3DG2734 , 3DG2736 , 3DG2785 , 3DG2786 , 3DG2812 , 3DG2839 , 2SD2499 , 3DG2878 , 3DG2881 , 3DG2881A , 3DG2884 , 3DG2909 , 3DG2999 , 3DG302 , 3DG3020 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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