3DG2873 - описание и поиск аналогов

 

3DG2873. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG2873

Маркировка: HMO_HMY

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 3DG2873

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2873 даташит

 ..1. Size:262K  lzg
 3dg2873.pdf pdf_icon

3DG2873

 8.1. Size:264K  lzg
 3dg2878.pdf pdf_icon

3DG2873

2SC2878(3DG2878) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose For muting and switching applications. , /Features High reverse h reverse FE h =150(V =-2V,I =-2mA),low on resistance. FE CE C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating

 9.1. Size:373K  foshan
 3dg2881a.pdf pdf_icon

3DG2873

 9.2. Size:454K  foshan
 3dg2881.pdf pdf_icon

3DG2873

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DG2717M, 3DG2732, 3DG2734, 3DG2736, 3DG2785, 3DG2786, 3DG2812, 3DG2839, 2SD2499, 3DG2878, 3DG2881, 3DG2881A, 3DG2884, 3DG2909, 3DG2999, 3DG302, 3DG3020

 

 

 

 

↑ Back to Top
.