3DG2909 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG2909
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO92
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3DG2909 datasheet
3dg2909.pdf
2SC2909(3DG2909) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR 60 Purpose High voltage switching. AF 60W pre-driver applications. hFE Features High breakdown voltage.excellent linearity of hFE and small Cob,fast switching speed. /Absolu
3dg2999.pdf
2SC2999(3DG2999) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose RF,HF Amplifier applications. f T Features High f small C . T re /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 25 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 30
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History: 3DG3020
History: 3DG3020
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