Биполярный транзистор 3DG2909 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG2909
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
3DG2909 Datasheet (PDF)
..1. Size:233K foshan
3dg2909.pdf
3dg2909.pdf
2SC2909(3DG2909) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : 60 Purpose: High voltage switching. AF 60W pre-driver applications. :hFE Features: High breakdown voltage.excellent linearity of hFE and small Cob,fast switching speed. /Absolu
9.1. Size:285K lzg
3dg2999.pdf
3dg2999.pdf
2SC2999(3DG2999) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: RF,HF Amplifier applications. : f TFeatures: High f small C . T re/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 25 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 30
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050