3DG2909 - описание и поиск аналогов

 

3DG2909. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG2909

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG2909

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2909 даташит

 ..1. Size:233K  foshan
 3dg2909.pdf pdf_icon

3DG2909

2SC2909(3DG2909) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR 60 Purpose High voltage switching. AF 60W pre-driver applications. hFE Features High breakdown voltage.excellent linearity of hFE and small Cob,fast switching speed. /Absolu

 9.1. Size:285K  lzg
 3dg2999.pdf pdf_icon

3DG2909

2SC2999(3DG2999) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose RF,HF Amplifier applications. f T Features High f small C . T re /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 25 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 30

Другие транзисторы: 3DG2786, 3DG2812, 3DG2839, 3DG2873, 3DG2878, 3DG2881, 3DG2881A, 3DG2884, TIP42, 3DG2999, 3DG302, 3DG3020, 3DG3020A1, 3DG3130, 3DG3137, 3DG3142, 3DG3326

 

 

 

 

↑ Back to Top
.