3DG2999 Todos los transistores

 

3DG2999 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG2999
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 450 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92S
 

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3DG2999 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  lzg
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3DG2999

2SC2999(3DG2999) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: RF,HF Amplifier applications. : f TFeatures: High f small C . T re/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 25 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 30

 9.1. Size:233K  foshan
 3dg2909.pdf pdf_icon

3DG2999

2SC2909(3DG2909) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : 60 Purpose: High voltage switching. AF 60W pre-driver applications. :hFE Features: High breakdown voltage.excellent linearity of hFE and small Cob,fast switching speed. /Absolu

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History: BUX90 | NSVT1418L | MPS-U05 | BCY58-8 | PT522

 

 
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