Справочник транзисторов. 3DG2999

 

Биполярный транзистор 3DG2999 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG2999
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92S
 

 Аналог (замена) для 3DG2999

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2999 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  lzg
 3dg2999.pdf pdf_icon

3DG2999

2SC2999(3DG2999) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: RF,HF Amplifier applications. : f TFeatures: High f small C . T re/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 25 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 30

 9.1. Size:233K  foshan
 3dg2909.pdf pdf_icon

3DG2999

2SC2909(3DG2909) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : 60 Purpose: High voltage switching. AF 60W pre-driver applications. :hFE Features: High breakdown voltage.excellent linearity of hFE and small Cob,fast switching speed. /Absolu

Другие транзисторы... 3DG2812 , 3DG2839 , 3DG2873 , 3DG2878 , 3DG2881 , 3DG2881A , 3DG2884 , 3DG2909 , 13005 , 3DG302 , 3DG3020 , 3DG3020A1 , 3DG3130 , 3DG3137 , 3DG3142 , 3DG3326 , 3DG3330 .

History: 2SC752G | UN211M

 

 
Back to Top

 


 
.