3DG2999 - описание и поиск аналогов

 

3DG2999. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG2999

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для 3DG2999

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG2999 даташит

 ..1. Size:285K  lzg
 3dg2999.pdf pdf_icon

3DG2999

2SC2999(3DG2999) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose RF,HF Amplifier applications. f T Features High f small C . T re /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 25 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 30

 9.1. Size:233K  foshan
 3dg2909.pdf pdf_icon

3DG2999

2SC2909(3DG2909) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR 60 Purpose High voltage switching. AF 60W pre-driver applications. hFE Features High breakdown voltage.excellent linearity of hFE and small Cob,fast switching speed. /Absolu

Другие транзисторы... 3DG2812 , 3DG2839 , 3DG2873 , 3DG2878 , 3DG2881 , 3DG2881A , 3DG2884 , 3DG2909 , C3198 , 3DG302 , 3DG3020 , 3DG3020A1 , 3DG3130 , 3DG3137 , 3DG3142 , 3DG3326 , 3DG3330 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.