3DG3130 Todos los transistores

 

3DG3130 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG3130
   Código: H1SP_H1SQ
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1400 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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3DG3130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  foshan
 3dg3130.pdf pdf_icon

3DG3130

2SC3130(3DG3130) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency amplifier, oscillation and mixing amplification. f TFeatures: High f , small Cob and small Crb. T /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 8.1. Size:60K  china
 3dg3137.pdf pdf_icon

3DG3130

"3DG3137" 3DG3137 1 3DG3137 NPN VHF/UHF B4(A3-02B) 8.64 9.392 2.1

 9.1. Size:207K  foshan
 3dg3142.pdf pdf_icon

3DG3130

2SC3142(3DG3142) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency general-purpose amplifier applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 25 V CBO V 20 V CEO V 3.0 V EBO I 30 mA C P 150 mW C T 150 j T -55150 stg

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2SC1040

 

 
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